在半导体芯片的制造过程中，刻蚀技术主要分为两大类：干法刻蚀和湿法刻蚀。
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。干法刻蚀是利用气体化学反应或物理过程进行刻蚀的一种方式。
在芯片制造的早期阶段，器件结构较为粗糙，线宽间距也较大，湿法刻蚀还能满足精度的要求。然而，湿法刻蚀存在一个致命的问题：横向钻蚀（undercut），这会导致刻蚀图案的分辨率下降。随着器件的不断缩小，精度要求也越来越高。例如，DRAM中的电容沟槽需要精确到纳米级别，湿法刻蚀已经无法胜任。因此，工程师们开始探索各种干法刻蚀技术。
二、干法蚀刻的基本原理
干法蚀刻的基本原理，包括物理蚀刻，化学蚀刻，和反应离子蚀刻。
物理蚀刻主要是用plasma轰击wafer表面，粒子与粒子之间发生碰撞，达到蚀刻的目的，整个过程全部是物理变化，没有新的物质生成。物理蚀刻是各向异性的，蚀刻方向沿着plasma速度方向，其他方向基本没有蚀刻，物理蚀刻没有选择性，高能离子可能会损伤器件。
化学蚀刻主要是用plasma与wafer表面材料发生化学反应，生成副产物，然后被抽走的过程，化学蚀刻有个要求就是副产物主要是气体，容易被抽走，化学蚀刻是各项同性的，但蚀刻过程中会产生聚合物polymer，会沉积在侧壁，实现各向异性的效果，通过调节化学蚀刻气体比例可以实现不同flim的选择比。
反应离子蚀刻的原理是综合物理和化学蚀刻的过程，一般的干法蚀刻都是反应性离子蚀刻，单纯的物理和化学蚀刻很少在工业上应用。
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