干法刻蚀适用于微细加工的原因

发布时间:2026-06-10

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相关技术描述适用于各向异性蚀刻的干法蚀刻用于需要高精度加工的半导体制造工艺中。干法刻蚀常指反应离子刻蚀（RIE），广义上可能还包括等离子刻蚀

和溅射刻蚀，但本文将重点介绍RIE。

为了解释为什么干法蚀刻更容易进行各向异性蚀刻，让我们仔细看看RIE工艺。将干法蚀刻刮除基板的过程分为「化学蚀刻」和「物理蚀刻」两种，就很容易理解了。

化学蚀刻分三个步骤进行。首先，反应气体被吸附在表面上。然后由反应气体和底物材料形成反应产物，最后反应产物被解吸。在随后的物理蚀刻中，通过垂直向基板施加氩气来垂直向下蚀刻基板。

化学蚀刻各向同性地发生，而物理蚀刻可以通过控制气体应用的方向而各向异性地进行。由于这种物理蚀刻，干法蚀刻比湿法蚀刻更能控制蚀刻方向。

干湿法也和湿法蚀刻一样需要严格的条件，但它比湿法蚀刻具有更高的再现性，并且有许多更容易控制的项目。因此，毫无疑问，干法刻蚀更有利于工业化生产。